部品型番 | FDD3510H | メーカー | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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説明 | MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 64788 pcs | データシート | FDD3510H.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA | サプライヤデバイスパッケージ | TO-252-4L |
シリーズ | PowerTrench® | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 80 mOhm @ 4.3A, 10V |
電力 - 最大 | 1.3W | パッケージング | Original-Reel® |
パッケージ/ケース | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | 他の名前 | FDD3510HDKR |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 800pF @ 40V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 18nC @ 10V |
FETタイプ | N and P-Channel, Common Drain | FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80V | 詳細な説明 | Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 80V 4.3A, 2.8A 1.3W Surface Mount TO-252-4L |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.3A, 2.8A |
フェデックス | www.FedEx.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
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