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FDI030N06

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
FDI030N06 Image
画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番: FDI030N06
メーカー/ブランド: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明 MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
仕様書: FDI030N06.pdf
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況 14890 pcs stock
配達場所 香港
輸送モード DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 14890 pcs
参考価格(USD)
1 pcs
$2.02
10 pcs
$1.802
100 pcs
$1.478
500 pcs
$1.197
1000 pcs
$1.009
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FDI030N06の仕様

部品型番 FDI030N06 メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 14890 pcs データシート FDI030N06.pdf
同上@ VGS(TH)(最大) 4.5V @ 250µA Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ I2PAK (TO-262)
シリーズ PowerTrench® 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 3.2 mOhm @ 75A, 10V
電力消費(最大) 231W (Tc) パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 9815pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 151nC @ 10V FETタイプ N-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60V 詳細な説明 N-Channel 60V 120A (Tc) 231W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 120A (Tc)

郵送方法

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
(集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ)

フェデックス www.FedEx.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
DHL www.DHL.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
UPS www.UPS.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
TNT www.TNT.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。

★配達時間はDHL / UPS / FEDERAL EXPRESS / TNTで世界中の国のほとんどに2-4日が必要になります。

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FedexDHLUPSTNT

売り上げ後の保証

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