部品型番 | JAN1N5552US | メーカー | Microsemi Corporation |
---|---|---|---|
説明 | DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛/ RoHS非対応 |
在庫あり | 7329 pcs | データシート | JAN1N5552US.pdf |
電圧 - ピーク逆(最大) | Standard | 電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 3A |
電圧 - ブレークダウン | D-5B | シリーズ | Military, MIL-PRF-19500/420 |
RoHSステータス | Bulk | 逆回復時間(trrの) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
もし、F @抵抗 | - | 偏光 | SQ-MELF, B |
他の名前 | 1086-19414 1086-19414-MIL |
動作温度 - ジャンクション | 2µs |
装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号 | JAN1N5552US | 拡張された説明 | Diode Standard 600V 3A Surface Mount D-5B |
ダイオード構成 | 1µA @ 600V | 説明 | DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1.2V @ 9A | 電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 600V |
Vrと、F @キャパシタンス | -65°C ~ 175°C |
フェデックス | www.FedEx.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
---|---|---|
DHL | www.DHL.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
UPS | www.UPS.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
TNT | www.TNT.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |