PD20010-E

STMicroelectronics

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

In Stock 4540 pcs

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部品型番	PD20010-E	メーカー	STMicroelectronics
説明	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	4540 pcs	データシート	PD20010-E.pdf
電圧 - テスト	13.6V	電圧 - 定格	40V
トランジスタ型式	LDMOS	サプライヤデバイスパッケージ	PowerSO-10RF (Formed Lead)
シリーズ	-	電力出力	10W
パッケージング	Tube	パッケージ/ケース	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
他の名前	497-13044-5 PD20010-E-ND PD20010E	雑音指数	-
水分感受性レベル（MSL）	3 (168 Hours)	鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant
利得	11dB	周波数	2GHz
詳細な説明	RF Mosfet LDMOS 13.6V 150mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Formed Lead)	定格電流	5A
電流 - テスト	150mA	ベース部品番号	PD20010

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（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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