部品型番 | HN3C10FUTE85LF | メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
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説明 | TRANSISTOR NPN US6 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 170500 pcs | データシート | |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 12V | トランジスタ型式 | 2 NPN (Dual) |
サプライヤデバイスパッケージ | US6 | シリーズ | - |
電力 - 最大 | 200mW | パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 他の名前 | HN3C10FUTE85LFCT |
運転温度 | - | ノイズ指数(F @デシベル標準) | 1.1dB @ 1GHz |
装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 利得 | 11.5dB |
周波数 - トランジション | 7GHz | 詳細な説明 | RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 80 @ 20mA, 10V | 電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 80mA |
フェデックス | www.FedEx.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
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