部品型番 | RN1706JE(TE85L,F) | メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
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説明 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 157163 pcs | データシート | RN1706JE(TE85L,F).pdf |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V | IB、IC @ Vce飽和(最大) | 300mV @ 250µA, 5mA |
トランジスタ型式 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) | サプライヤデバイスパッケージ | ESV |
シリーズ | - | 抵抗器ベース(R2) | 47 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1) | 4.7 kOhms | 電力 - 最大 | 100mW |
パッケージング | Cut Tape (CT) | パッケージ/ケース | SOT-553 |
他の名前 | RN1706JE(TE85LF)CT | 装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション | 250MHz | 詳細な説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 80 @ 10mA, 5V | 電流 - コレクタ遮断(最大) | 100nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100mA |
フェデックス | www.FedEx.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
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