部品型番 | TK12E60W,S1VX | メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
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説明 | MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 25904 pcs | データシート | TK12E60W,S1VX.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.7V @ 600µA | Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
シリーズ | DTMOSIV | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 300 mOhm @ 5.8A, 10V |
電力消費(最大) | 110W (Tc) | パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-220-3 | 他の名前 | TK12E60W,S1VX(S TK12E60WS1VX |
運転温度 | 150°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 890pF @ 300V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 25nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel | FET特長 | Super Junction |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600V |
詳細な説明 | N-Channel 600V 11.5A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220 | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 11.5A (Ta) |
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