部品型番 | SI4686DY-T1-GE3 | メーカー | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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説明 | MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 122841 pcs | データシート | SI4686DY-T1-GE3.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA | Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | TrenchFET®, WFET® | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 9.5 mOhm @ 13.8A, 10V |
電力消費(最大) | 3W (Ta), 5.2W (Tc) | パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 他の名前 | SI4686DY-T1-GE3TR |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1220pF @ 15V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 26nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
詳細な説明 | N-Channel 30V 18.2A (Tc) 3W (Ta), 5.2W (Tc) Surface Mount 8-SO | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 18.2A (Tc) |
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