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SI8465DB-T2-E1

Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
SI8465DB-T2-E1 Image
画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番: SI8465DB-T2-E1
メーカー/ブランド: Electro-Films (EFI) / Vishay
製品の説明 MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
仕様書: SI8465DB-T2-E1.pdf
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況 178766 pcs stock
配達場所 香港
輸送モード DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 178766 pcs
参考価格(USD)
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SI8465DB-T2-E1の仕様

部品型番 SI8465DB-T2-E1 メーカー Electro-Films (EFI) / Vishay
説明 MOSFET P-CH 20V MICROFOOT フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 178766 pcs データシート SI8465DB-T2-E1.pdf
同上@ VGS(TH)(最大) 1.5V @ 250µA Vgs(最大) ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ 4-Microfoot
シリーズ TrenchFET® 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 104 mOhm @ 1.5A, 4.5V
電力消費(最大) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) パッケージング Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース 4-XFBGA, CSPBGA 他の名前 SI8465DB-T2-E1CT
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ) 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 450pF @ 10V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 18nC @ 10V
FETタイプ P-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 2.5V, 4.5V ソース電圧(VDSS)にドレイン 20V
詳細な説明 P-Channel 20V 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) -

郵送方法

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
(集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ)

フェデックス www.FedEx.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
DHL www.DHL.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
UPS www.UPS.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
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