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FQPF8N80CYDTU

Fairchild/ON SemiconductorFairchild/ON Semiconductor
FQPF8N80CYDTU Image
画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番: FQPF8N80CYDTU
メーカー/ブランド: Fairchild/ON Semiconductor
製品の説明 MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
仕様書: FQPF8N80CYDTU.pdf
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況 48824 pcs stock
配達場所 香港
輸送モード DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 48824 pcs
参考価格(USD)
1 pcs
$0.65
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FQPF8N80CYDTUの仕様

部品型番 FQPF8N80CYDTU メーカー Fairchild/ON Semiconductor
説明 MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 48824 pcs データシート FQPF8N80CYDTU.pdf
電圧 - テスト 2050pF @ 25V 電圧 - ブレークダウン TO-220F-3 (Y-Forming)
同上@ VGS(TH)(最大) 1.55 Ohm @ 4A, 10V Vgs(最大) 10V
技術 MOSFET (Metal Oxide) シリーズ QFET®
RoHSステータス Tube 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 8A (Tc)
偏光 TO-220-3 Full Pack, Formed Leads 運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
製造元の部品番号 FQPF8N80CYDTU 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 45nC @ 10V
IGBTタイプ ±30V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 5V @ 250µA
FET特長 N-Channel 拡張された説明 N-Channel 800V 8A (Tc) 59W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
ソース電圧(VDSS)にドレイン - 説明 MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 800V 静電容量比 59W (Tc)

郵送方法

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
(集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ)

フェデックス www.FedEx.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
DHL www.DHL.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
UPS www.UPS.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
TNT www.TNT.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。

★配達時間はDHL / UPS / FEDERAL EXPRESS / TNTで世界中の国のほとんどに2-4日が必要になります。

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FedexDHLUPSTNT

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  2. あなたがそれらを受けた後に我々の製品に関する品質問題を見つけるならば、あなたはそれらをテストして、それが証明されることができるなら無条件の払い戻しを申し込むことができます。
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