部品型番 | MB85R4M2TFN-G-ASE1 | メーカー | Fujitsu Electronics America, Inc. |
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説明 | IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 7478 pcs | データシート | 1.MB85R4M2TFN-G-ASE1.pdf2.MB85R4M2TFN-G-ASE1.pdf |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 150ns | 電源電圧 - | 1.8 V ~ 3.6 V |
技術 | FRAM (Ferroelectric RAM) | サプライヤデバイスパッケージ | 44-TSOP |
シリーズ | - | パッケージング | Tray |
パッケージ/ケース | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | 他の名前 | 865-1266 865-1266-1 865-1266-1-ND |
運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | 装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | メモリタイプ | Non-Volatile |
記憶容量 | 4Mb (256K x 16) | メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | FRAM | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 150ns 44-TSOP | アクセス時間 | 150ns |
フェデックス | www.FedEx.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
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DHL | www.DHL.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
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