部品型番 | RN1119MFV,L3F | メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
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説明 | X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 3701518 pcs | データシート | RN1119MFV,L3F.pdf |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V | IB、IC @ Vce飽和(最大) | 300mV @ 500µA, 5mA |
トランジスタ型式 | NPN - Pre-Biased | サプライヤデバイスパッケージ | VESM |
シリーズ | - | 抵抗器 - ベース(R1) | 1 kOhms |
電力 - 最大 | 150mW | パッケージ/ケース | SOT-723 |
他の名前 | RN1119MFVL3F | 装着タイプ | Surface Mount |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 詳細な説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 120 @ 1mA, 5V | 電流 - コレクタ遮断(最大) | 100nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100mA |
フェデックス | www.FedEx.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
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