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TK040N65Z,S1F

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
TK040N65Z,S1F Image
画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番: TK040N65Z,S1F
メーカー/ブランド: Toshiba Semiconductor and Storage
製品の説明 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
仕様書: TK040N65Z,S1F.pdf
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況 6565 pcs stock
配達場所 香港
輸送モード DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 6565 pcs
参考価格(USD)
1 pcs
$4.443
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120 pcs
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$2.928
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TK040N65Z,S1Fの仕様

部品型番 TK040N65Z,S1F メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
説明 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 6565 pcs データシート TK040N65Z,S1F.pdf
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 2.85mA Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ TO-247
シリーズ - 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 40 mOhm @ 28.5A, 10V
電力消費(最大) 360W (Tc) パッケージ/ケース TO-247-3
他の名前 TK040N65Z,S1F(S
TK040N65ZS1F
運転温度 150°C
装着タイプ Through Hole 水分感受性レベル(MSL) Not Applicable
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 6250pF @ 300V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 105nC @ 10V FETタイプ N-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 650V 詳細な説明 N-Channel 650V 57A (Ta) 360W (Tc) Through Hole TO-247
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 57A (Ta)

郵送方法

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
(集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ)

フェデックス www.FedEx.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
DHL www.DHL.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
UPS www.UPS.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
TNT www.TNT.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。

★配達時間はDHL / UPS / FEDERAL EXPRESS / TNTで世界中の国のほとんどに2-4日が必要になります。

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売り上げ後の保証

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  2. あなたがそれらを受けた後に我々の製品に関する品質問題を見つけるならば、あなたはそれらをテストして、それが証明されることができるなら無条件の払い戻しを申し込むことができます。
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