部品型番 | SI4288DY-T1-GE3 | メーカー | Vishay Siliconix |
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説明 | MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 140294 pcs | データシート | SI4288DY-T1-GE3.pdf |
電圧 - テスト | 580pF @ 20V | 電圧 - ブレークダウン | 8-SO |
同上@ VGS(TH)(最大) | 20 mOhm @ 10A, 10V | シリーズ | TrenchFET® |
RoHSステータス | Tape & Reel (TR) | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 9.2A |
電力 - 最大 | 3.1W | 偏光 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前 | SI4288DY-T1-GE3TR | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号 | SI4288DY-T1-GE3 | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 15nC @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 2.5V @ 250µA | FET特長 | 2 N-Channel (Dual) |
拡張された説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9.2A 3.1W Surface Mount 8-SO | ソース電圧(VDSS)にドレイン | Logic Level Gate |
説明 | MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 40V |
フェデックス | www.FedEx.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
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