ダイオードブリッジ整流器
関連ブランド
- Electro-Films (EFI) / Vishay
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KBU8J-E4/51
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:RECTIFIER BRIDGE 8A 600V KBU
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KBU8A-E4/51
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:DIODE 8A 50V KBU
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VS-35MT120PB
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:MOD BRIDGE MTP
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DF1504S-E3/45
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:DIODE GPP 1.5A 400V 4SMD
- TSC (Taiwan Semiconductor)
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TS40P06GHD2G
TSC (Taiwan Semiconductor)
説明:BRIDGE RECT 1P 800V 40A TS-6P
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SBS36HRGG
TSC (Taiwan Semiconductor)
説明:BRIDGE RECT 1PHASE 60V 3A ABS
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TS10KL60 D3G
TSC (Taiwan Semiconductor)
説明:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A KBJL
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ABS15JHREG
TSC (Taiwan Semiconductor)
説明:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A ABS
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- - オン・セミコンダクター(ナスダック:ON)は、エネルギー効率の高い革新を推進し、お客様がグローバルなエネルギー使用を削減できるようにします。自動車、通信、コンピューティング、コンシューマ、産業、LED照明、医療、軍事/航空宇宙および電力分野における独自の設計上の課題を解決するための包括的なエネルギー効率...ディテール
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GBPC35005W
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:RECT BRIDGE GPP 35A 50V GBPC-W
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GBU8B
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:RECT BRIDGE GPP 8A 100V GBU
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KBU4B
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:IC BRIDGE RECT 4A 100V KBU
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KBU6K
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:IC BRIDGE RECT 6A 800V KBU
- Diodes Incorporated
- - Diodes Incorporatedは、幅広いディスクリート、ロジック、アナログ、ミックスド・シグナルの半導体市場において、高品質の特定用途向け標準製品を提供する大手グローバル・メーカーです。 2015年11月、Pericom SemiconductorはDiodes Incorporatedの一員になり、シリアル高速スイッチング、シグナル・インテグリティ、...ディテール
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DF04S-T
Diodes Incorporated
説明:RECT BRIDGE GPP 1A 400V DFS
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RS403L
Diodes Incorporated
説明:RECT BRIDGE GPP 200V 4A RS-4L
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GBJ2506
Diodes Incorporated
説明:RECT BRIDGE GPP 600V 25A GBJ
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MB254
Diodes Incorporated
説明:RECTIFIER BRIDGE 400V 25A MB
- Micro Commercial Components (MCC)
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GBPC5010-BP
Micro Commercial Components (MCC)
説明:BRIDGE RECT 50A 1KV GBPC
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GBJL1010-BP
Micro Commercial Components (MCC)
説明:BRIDGE RECT 1PHASE 1000V GBJL
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GBU15J-BP
Micro Commercial Components (MCC)
説明:BRIDGE RECTIFIER 15A 600V GBU
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DB103
Micro Commercial Components (MCC)
説明:RECTIFIER BRIDGE 1A 200V DB-1
- GeneSiC Semiconductor
- GeneSiCは、シリコンカーバイド技術のパイオニアであり世界的リーダーであり、高性能シリコン技術にも投資しています。産業および防衛システムの世界的大手メーカーは、製品の性能と効率を高めるためにGeneSiCの技術に依存しています。 ディテール
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GBPC2504T
GeneSiC Semiconductor
説明:DIODE BRIDGE 400V 25A GBPC-T/W
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GBL02
GeneSiC Semiconductor
説明:DIODE BRIDGE 200V 4 A- GBL
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KBP208
GeneSiC Semiconductor
説明:DIODE BRIDGE 800V 2A KBP