APT10035B2FLLG

Microsemi Corporation

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

In Stock 2573 pcs

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部品型番	APT10035B2FLLG	メーカー	Microsemi Corporation
説明	MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	2573 pcs	データシート	APT10035B2FLLG.pdf
電圧 - テスト	5185pF @ 25V	電圧 - ブレークダウン	T-MAX™ [B2]
同上@ VGS（TH）（最大）	370 mOhm @ 14A, 10V	技術	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	POWER MOS 7®	RoHSステータス	Tube
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	28A (Tc)	偏光	TO-247-3 Variant
運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)	装着タイプ	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	製造元の部品番号	APT10035B2FLLG
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	186nC @ 10V	ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	5V @ 2.5mA
FET特長	N-Channel	拡張された説明	N-Channel 1000V (1kV) 28A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
ソース電圧（VDSS）にドレイン	-	説明	MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	1000V (1kV)	静電容量比	690W (Tc)

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（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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