| 部品型番 | 2N5551RLRMG | メーカー | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 3968 pcs | データシート | 2N5551RLRMG.pdf |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 160V | IB、IC @ Vce飽和(最大) | 200mV @ 5mA, 50mA |
| トランジスタ型式 | NPN | サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 |
| シリーズ | - | 電力 - 最大 | 625mW |
| パッケージング | Tape & Box (TB) | パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 周波数 - トランジション | 300MHz | 詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3 |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 80 @ 10mA, 5V | 電流 - コレクタ遮断(最大) | 50nA (ICBO) |
| 電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 600mA | ベース部品番号 | 2N5551 |
| フェデックス | www.FedEx.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
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