| 部品型番 | 2N7000RLRMG | メーカー | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 6644 pcs | データシート | 2N7000RLRMG.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 1mA | Vgs(最大) | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 |
| シリーズ | - | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
| 電力消費(最大) | 350mW (Tc) | パッケージング | Tape & Box (TB) |
| パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 60pF @ 25V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V |
| 詳細な説明 | N-Channel 60V 200mA (Ta) 350mW (Tc) Through Hole TO-92-3 | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 200mA (Ta) |
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