2SD1805G-E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	2SD1805G-E
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	TRANS NPN 20V 5A TP
仕様書:	2SD1805G-E.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	160835 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 160835 pcs

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部品型番	2SD1805G-E	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	TRANS NPN 20V 5A TP	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	160835 pcs	データシート	2SD1805G-E.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	20V	IB、IC @ Vce飽和（最大）	500mV @ 60mA, 3A
トランジスタ型式	NPN	サプライヤデバイスパッケージ	TP
シリーズ	-	電力 - 最大	1W
パッケージング	Bulk	パッケージ/ケース	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
運転温度	150°C (TJ)	装着タイプ	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション	120MHz	詳細な説明	Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 5A 120MHz 1W Through Hole TP
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）	280 @ 500mA, 2V	電流 - コレクタ遮断（最大）	100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）	5A	ベース部品番号	2SD1805

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