FCH125N65S3R0-F155

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	FCH125N65S3R0-F155
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	SUPERFET3 650V TO247 PKG
仕様書:	FCH125N65S3R0-F155.pdf
在庫状況	17363 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 17363 pcs

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部品型番	FCH125N65S3R0-F155	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	SUPERFET3 650V TO247 PKG	フリーステータス/ RoHS状態
在庫あり	17363 pcs	データシート	FCH125N65S3R0-F155.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	4.5V @ 2.4mA	Vgs（最大）	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)	サプライヤデバイスパッケージ	TO-247-3
シリーズ	SuperFET® III	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	125 mOhm @ 12A, 10V
電力消費（最大）	181W (Tc)	パッケージ/ケース	TO-247-3
他の名前	FCH125N65S3R0-F155-ND FCH125N65S3R0-F155OS	運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ	Through Hole	鉛フリーステータス	Lead free
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1940pF @ 400V	ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	46nC @ 10V
FETタイプ	N-Channel	FET特長	-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V	ソース電圧（VDSS）にドレイン	650V
詳細な説明	N-Channel 650V 24A (Tc) 181W (Tc) Through Hole TO-247-3	電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	24A (Tc)

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（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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