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FCP190N60-GF102

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番: FCP190N60-GF102
メーカー/ブランド: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明 MOSFET N-CH 600V TO-220-3
仕様書: FCP190N60-GF102.pdf
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況 24160 pcs stock
配達場所 香港
輸送モード DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 24160 pcs
参考価格(USD)
1 pcs
$1.356
10 pcs
$1.212
100 pcs
$0.994
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$0.727
1600 pcs
$0.679
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FCP190N60-GF102の仕様

部品型番 FCP190N60-GF102 メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 MOSFET N-CH 600V TO-220-3 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 24160 pcs データシート FCP190N60-GF102.pdf
同上@ VGS(TH)(最大) 3.5V @ 250µA Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ TO-220
シリーズ SuperFET® II 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 199 mOhm @ 10A, 10V
電力消費(最大) 208W (Tc) パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-220-3 他の名前 FCP190N60_GF102
FCP190N60_GF102-ND
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ) 装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2950pF @ 25V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 74nC @ 10V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V ソース電圧(VDSS)にドレイン 600V
詳細な説明 N-Channel 600V 20.2A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 20.2A (Tc)

郵送方法

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
(集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ)

フェデックス www.FedEx.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
DHL www.DHL.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
UPS www.UPS.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
TNT www.TNT.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。

★配達時間はDHL / UPS / FEDERAL EXPRESS / TNTで世界中の国のほとんどに2-4日が必要になります。

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売り上げ後の保証

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  2. あなたがそれらを受けた後に我々の製品に関する品質問題を見つけるならば、あなたはそれらをテストして、それが証明されることができるなら無条件の払い戻しを申し込むことができます。
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