FDB3632_SB82115

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	FDB3632_SB82115
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	INTEGRATED CIRCUIT
仕様書:
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	5673 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5673 pcs

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部品型番	FDB3632_SB82115	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	INTEGRATED CIRCUIT	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	5673 pcs	データシート
同上@ VGS（TH）（最大）	4V @ 250µA	Vgs（最大）	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)	サプライヤデバイスパッケージ	D²PAK (TO-263AB)
シリーズ	PowerTrench®	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	9 mOhm @ 80A, 10V
電力消費（最大）	310W (Tc)	パッケージング	Bulk
パッケージ/ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	運転温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ	Surface Mount	鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	6000pF @ 25V	ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	110nC @ 10V
FETタイプ	N-Channel	FET特長	-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	6V, 10V	ソース電圧（VDSS）にドレイン	100V
詳細な説明	N-Channel 100V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)	電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	12A (Ta), 80A (Tc)

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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