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FDB86363-F085

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
FDB86363-F085 Image
画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番: FDB86363-F085
メーカー/ブランド: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明 MOSFET N-CH 80V 110A TO263
仕様書: FDB86363-F085.pdf
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況 55546 pcs stock
配達場所 香港
輸送モード DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 55546 pcs
参考価格(USD)
800 pcs
$0.676
引き合い
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FDB86363-F085の仕様

部品型番 FDB86363-F085 メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 MOSFET N-CH 80V 110A TO263 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 55546 pcs データシート FDB86363-F085.pdf
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ D²PAK (TO-263AB)
シリーズ Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 2.4 mOhm @ 80A, 10V
電力消費(最大) 300W (Tc) パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 他の名前 FDB86363-F085TR
FDB86363_F085
FDB86363_F085TR
FDB86363_F085TR-ND
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ) 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 10000pF @ 40V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 150nC @ 10V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V ソース電圧(VDSS)にドレイン 80V
詳細な説明 N-Channel 80V 110A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 110A (Tc)

郵送方法

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
(集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ)

フェデックス www.FedEx.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
DHL www.DHL.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
UPS www.UPS.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
TNT www.TNT.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。

★配達時間はDHL / UPS / FEDERAL EXPRESS / TNTで世界中の国のほとんどに2-4日が必要になります。

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FedexDHLUPSTNT

売り上げ後の保証

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  3. 製品が不完全であるか、彼らが働かないならば、あなたは1年以内に我々に戻ることができます、商品のすべての輸送と関税料金は我々によって負担されます。

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