| 部品型番 | FDD86113LZ | メーカー | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 65071 pcs | データシート | FDD86113LZ.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA | Vgs(最大) | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | D-PAK (TO-252) |
| シリーズ | PowerTrench® | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 104 mOhm @ 4.2A, 10V |
| 電力消費(最大) | 3.1W (Ta), 29W (Tc) | パッケージング | Cut Tape (CT) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 他の名前 | FDD86113LZFSCT |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 285pF @ 50V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 6nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100V |
| 詳細な説明 | N-Channel 100V 4.2A (Ta), 5.5A (Tc) 3.1W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252) | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.2A (Ta), 5.5A (Tc) |
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