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FDT55AN06LA0

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番: FDT55AN06LA0
メーカー/ブランド: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明 MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
仕様書: 1.FDT55AN06LA0.pdf2.FDT55AN06LA0.pdf
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況 3874 pcs stock
配達場所 香港
輸送モード DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 3874 pcs
引き合い
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FDT55AN06LA0の仕様

部品型番 FDT55AN06LA0 メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 3874 pcs データシート 1.FDT55AN06LA0.pdf2.FDT55AN06LA0.pdf
同上@ VGS(TH)(最大) 3V @ 250µA Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ SOT-223-4
シリーズ PowerTrench® 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 46 mOhm @ 11A, 10V
電力消費(最大) 8.9W (Tc) パッケージング Original-Reel®
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA 他の名前 FDT55AN06LA0DKR
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ) 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1130pF @ 25V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 10nC @ 10V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V, 10V ソース電圧(VDSS)にドレイン 60V
詳細な説明 N-Channel 60V 12.1A (Tc) 8.9W (Tc) Surface Mount SOT-223-4 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 12.1A (Tc)

郵送方法

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
(集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ)

フェデックス www.FedEx.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
DHL www.DHL.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
UPS www.UPS.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
TNT www.TNT.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。

★配達時間はDHL / UPS / FEDERAL EXPRESS / TNTで世界中の国のほとんどに2-4日が必要になります。

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