FGA30N120FTDTU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	FGA30N120FTDTU
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	IGBT 1200V 60A 339W TO3P
仕様書:	FGA30N120FTDTU.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	15857 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 15857 pcs

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部品型番	FGA30N120FTDTU	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	IGBT 1200V 60A 339W TO3P	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	15857 pcs	データシート	FGA30N120FTDTU.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	1200V	VGE、Icを@ VCE（上）（最大）	2V @ 15V, 30A
試験条件	-	Td（オン/オフ）@ 25℃	-
エネルギーの切り替え	-	サプライヤデバイスパッケージ	TO-3PN
シリーズ	-	逆回復時間（trrの）	730ns
電力 - 最大	339W	パッケージング	Tube
パッケージ/ケース	TO-3P-3, SC-65-3	運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ	Through Hole	水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	入力タイプ	Standard
IGBTタイプ	Trench Field Stop	ゲートチャージ	208nC
詳細な説明	IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 339W Through Hole TO-3PN	電流 - コレクタパルス（ICM）	90A
電流 - コレクタ（Ic）（Max）	60A

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（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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