FJNS3211RTA

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	FJNS3211RTA
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
仕様書:	FJNS3211RTA.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	6972 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6972 pcs

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部品型番	FJNS3211RTA	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	6972 pcs	データシート	FJNS3211RTA.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	40V	IB、IC @ Vce飽和（最大）	300mV @ 1mA, 10mA
トランジスタ型式	NPN - Pre-Biased	サプライヤデバイスパッケージ	TO-92S
シリーズ	-	抵抗器 - ベース（R1）	22 kOhms
電力 - 最大	300mW	パッケージング	Tape & Box (TB)
パッケージ/ケース	TO-226-3, TO-92-3 Short Body	装着タイプ	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション	250MHz	詳細な説明	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92S
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）	100 @ 1mA, 5V	電流 - コレクタ遮断（最大）	100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）	100mA

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（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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