FJNS3215RBU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	FJNS3215RBU
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
仕様書:	FJNS3215RBU.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	4295 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4295 pcs

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部品型番	FJNS3215RBU	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	4295 pcs	データシート	FJNS3215RBU.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	50V	IB、IC @ Vce飽和（最大）	300mV @ 500µA, 10mA
トランジスタ型式	NPN - Pre-Biased	サプライヤデバイスパッケージ	TO-92S
シリーズ	-	抵抗器ベース（R2）	10 kOhms
抵抗器 - ベース（R1）	2.2 kOhms	電力 - 最大	300mW
パッケージング	Bulk	パッケージ/ケース	TO-226-3, TO-92-3 Short Body
装着タイプ	Through Hole	水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	周波数 - トランジション	250MHz
詳細な説明	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92S	Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）	33 @ 10mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）	100nA (ICBO)	電流 - コレクタ（Ic）（Max）	100mA

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（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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