FQD12N20LTM-F085P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	FQD12N20LTM-F085P
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	NMOS DPAK 200V 280 MOHM
仕様書:
在庫状況	130841 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 130841 pcs

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部品型番	FQD12N20LTM-F085P	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	NMOS DPAK 200V 280 MOHM	フリーステータス/ RoHS状態
在庫あり	130841 pcs	データシート
同上@ VGS（TH）（最大）	2V @ 250µA	Vgs（最大）	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)	サプライヤデバイスパッケージ	TO-252, (D-Pak)
シリーズ	QFET®	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	280 mOhm @ 4.5A, 10V
電力消費（最大）	2.5W (Ta), 55W (Tc)	パッケージ/ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)	装着タイプ	Surface Mount
鉛フリーステータス	Lead free	入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1080pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	21nC @ 5V	FETタイプ	N-Channel
FET特長	-	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン	200V	詳細な説明	N-Channel 200V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	9A (Tc)

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