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FQE10N20CTU

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
FQE10N20CTU Image
画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番: FQE10N20CTU
メーカー/ブランド: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明 MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
仕様書: FQE10N20CTU.pdf
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況 4459 pcs stock
配達場所 香港
輸送モード DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 4459 pcs
引き合い
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FQE10N20CTUの仕様

部品型番 FQE10N20CTU メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 MOSFET N-CH 200V 4A TO-126 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 4459 pcs データシート FQE10N20CTU.pdf
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ TO-126
シリーズ QFET® 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 360 mOhm @ 2A, 10V
電力消費(最大) 12.8W (Tc) パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-225AA, TO-126-3 運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 510pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 26nC @ 10V FETタイプ N-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 200V 詳細な説明 N-Channel 200V 4A (Tc) 12.8W (Tc) Through Hole TO-126
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4A (Tc)

郵送方法

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
(集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ)

フェデックス www.FedEx.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
DHL www.DHL.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
UPS www.UPS.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
TNT www.TNT.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。

★配達時間はDHL / UPS / FEDERAL EXPRESS / TNTで世界中の国のほとんどに2-4日が必要になります。

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売り上げ後の保証

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  2. あなたがそれらを受けた後に我々の製品に関する品質問題を見つけるならば、あなたはそれらをテストして、それが証明されることができるなら無条件の払い戻しを申し込むことができます。
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