| 部品型番 | FQP13N50C_F105 | メーカー | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | IC POWER MANAGEMENT | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 5049 pcs | データシート | FQP13N50C_F105.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA | Vgs(最大) | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| シリーズ | QFET® | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 480 mOhm @ 6.5A, 10V |
| 電力消費(最大) | 195W (Tc) | パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2055pF @ 25V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 56nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 500V |
| 詳細な説明 | N-Channel 500V 13A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-220AB | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 13A (Tc) |
| フェデックス | www.FedEx.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
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