| 部品型番 | FQU4N50TU-WS | メーカー | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 60443 pcs | データシート | FQU4N50TU-WS.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA | Vgs(最大) | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK |
| シリーズ | QFET® | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.7 Ohm @ 1.3A, 10V |
| 電力消費(最大) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) | パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | 他の名前 | FQU4N50TU_WS FQU4N50TU_WS-ND |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 460pF @ 25V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 13nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 500V |
| 詳細な説明 | N-Channel 500V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Through Hole I-PAK | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.6A (Tc) |
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