HGTG12N60B3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	HGTG12N60B3
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	IGBT 600V 27A 104W TO247
仕様書:	HGTG12N60B3.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	6896 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6896 pcs

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部品型番	HGTG12N60B3	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	IGBT 600V 27A 104W TO247	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	6896 pcs	データシート	HGTG12N60B3.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	600V	VGE、Icを@ VCE（上）（最大）	2.1V @ 15V, 12A
試験条件	480V, 12A, 25 Ohm, 15V	Td（オン/オフ）@ 25℃	26ns/150ns
エネルギーの切り替え	150µJ (on), 250µJ (off)	サプライヤデバイスパッケージ	TO-247-3
シリーズ	-	電力 - 最大	104W
パッケージング	Tube	パッケージ/ケース	TO-247-3
運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)	装着タイプ	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant
入力タイプ	Standard	IGBTタイプ	-
ゲートチャージ	51nC	詳細な説明	IGBT 600V 27A 104W Through Hole TO-247-3
電流 - コレクタパルス（ICM）	110A	電流 - コレクタ（Ic）（Max）	27A
ベース部品番号	HGTG12N60

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（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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