HGTP10N120BN

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	HGTP10N120BN
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
仕様書:	1.HGTP10N120BN.pdf 2.HGTP10N120BN.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	53766 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 53766 pcs

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部品型番	HGTP10N120BN	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	IGBT 1200V 35A 298W TO220AB	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	53766 pcs	データシート	1.HGTP10N120BN.pdf 2.HGTP10N120BN.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	1200V	VGE、Icを@ VCE（上）（最大）	2.7V @ 15V, 10A
試験条件	960V, 10A, 10 Ohm, 15V	Td（オン/オフ）@ 25℃	23ns/165ns
エネルギーの切り替え	320µJ (on), 800µJ (off)	サプライヤデバイスパッケージ	TO-220AB
シリーズ	-	電力 - 最大	298W
パッケージング	Tube	パッケージ/ケース	TO-220-3
他の名前	HGTP10N120BN-ND HGTP10N120BNFS	運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ	Through Hole	水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	入力タイプ	Standard
IGBTタイプ	NPT	ゲートチャージ	100nC
詳細な説明	IGBT NPT 1200V 35A 298W Through Hole TO-220AB	電流 - コレクタパルス（ICM）	80A
電流 - コレクタ（Ic）（Max）	35A

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間はDHL / UPS / FEDERAL EXPRESS / TNTで世界中の国のほとんどに2-4日が必要になります。

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