| 部品型番 | HGTP5N120BND | メーカー | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | IGBT 1200V 21A 167W TO220AB | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 50570 pcs | データシート | 1.HGTP5N120BND.pdf2.HGTP5N120BND.pdf |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 1200V | VGE、Icを@ VCE(上)(最大) | 2.7V @ 15V, 5A |
| 試験条件 | 960V, 5A, 25 Ohm, 15V | Td(オン/オフ)@ 25℃ | 22ns/160ns |
| エネルギーの切り替え | 450µJ (on), 390µJ (off) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| シリーズ | - | 逆回復時間(trrの) | 65ns |
| 電力 - 最大 | 167W | パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力タイプ | Standard |
| IGBTタイプ | NPT | ゲートチャージ | 53nC |
| 詳細な説明 | IGBT NPT 1200V 21A 167W Through Hole TO-220AB | 電流 - コレクタパルス(ICM) | 40A |
| 電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 21A |
| フェデックス | www.FedEx.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
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