ISL9R18120G2

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	ISL9R18120G2
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247
仕様書:	ISL9R18120G2.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	27953 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 27953 pcs

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部品型番	ISL9R18120G2	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	27953 pcs	データシート	ISL9R18120G2.pdf
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@	3.3V @ 18A	電圧 - 逆（VR）（最大）	1200V
サプライヤデバイスパッケージ	TO-247-2	速度	Fast Recovery = 200mA (Io)
シリーズ	Stealth™	逆回復時間（trrの）	70ns
パッケージング	Tube	パッケージ/ケース	TO-247-2
動作温度 - ジャンクション	-55°C ~ 150°C	装着タイプ	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant
ダイオードタイプ	Standard	詳細な説明	Diode Standard 1200V 18A Through Hole TO-247-2
電流 - 漏れ@ Vrとリバース	100µA @ 1200V	電流 - 平均整流（イオ）	18A
Vrと、F @キャパシタンス	-	ベース部品番号	ISL9R18120

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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