MJE5851G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	MJE5851G
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	TRANS PNP 350V 8A TO220AB
仕様書:	MJE5851G.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	34031 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 34031 pcs

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部品型番	MJE5851G	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	TRANS PNP 350V 8A TO220AB	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	34031 pcs	データシート	MJE5851G.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	350V	IB、IC @ Vce飽和（最大）	5V @ 3A, 8A
トランジスタ型式	PNP	サプライヤデバイスパッケージ	TO-220AB
シリーズ	SWITCHMODE™	電力 - 最大	80W
パッケージング	Tube	パッケージ/ケース	TO-220-3
他の名前	MJE5851GOS	運転温度	-65°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ	Through Hole	水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	周波数 - トランジション	-
詳細な説明	Bipolar (BJT) Transistor PNP 350V 8A 80W Through Hole TO-220AB	Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）	5 @ 5A, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）	-	電流 - コレクタ（Ic）（Max）	8A

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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