NCD5701ADR2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	NCD5701ADR2G
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
仕様書:	NCD5701ADR2G.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	123713 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 123713 pcs

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部品型番	NCD5701ADR2G	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	123713 pcs	データシート	NCD5701ADR2G.pdf
電源電圧 -	20V	サプライヤデバイスパッケージ	8-SOIC
シリーズ	NCD5701	立上り/立下り時間（Typ）	18ns, 19ns
パッケージング	Tape & Reel (TR)	パッケージ/ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
他の名前	NCD5701ADR2GOSTR	運転温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
入力周波数	1	装着タイプ	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	ロジック電圧 - VIL、VIH	-
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	入力タイプ	-
ゲートタイプ	IGBT	駆動構成	Low-Side
詳細な説明	Low-Side Gate Driver IC 8-SOIC	電流 - ピーク出力（ソース、シンク）	4A, 6A
ベース・エミッタ間飽和電圧（最大）	Single

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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