| 部品型番 | NDPL100N10BG | メーカー | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 100A TO220 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 6699 pcs | データシート | NDPL100N10BG.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 1mA | Vgs(最大) | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 |
| シリーズ | - | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 7.2 mOhm @ 50A, 15V |
| 電力消費(最大) | 2.1W (Ta), 110W (Tc) | パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | 運転温度 | 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2950pF @ 50V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 35nC @ 10V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V, 15V |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100V | 詳細な説明 | N-Channel 100V 100A (Ta) 2.1W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100A (Ta) |
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