NSBA123TDP6T5G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	NSBA123TDP6T5G
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
仕様書:	NSBA123TDP6T5G.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	786883 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 786883 pcs

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部品型番	NSBA123TDP6T5G	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	786883 pcs	データシート	NSBA123TDP6T5G.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	50V	IB、IC @ Vce飽和（最大）	250mV @ 300µA, 10mA
トランジスタ型式	2 PNP - Pre-Biased (Dual)	サプライヤデバイスパッケージ	SOT-963
シリーズ	-	抵抗器ベース（R2）	-
抵抗器 - ベース（R1）	2.2 kOhms	電力 - 最大	408mW
パッケージング	Tape & Reel (TR)	パッケージ/ケース	SOT-963
装着タイプ	Surface Mount	水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	周波数 - トランジション	-
詳細な説明	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 408mW Surface Mount SOT-963	Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）	160 @ 5mA, 10V
電流 - コレクタ遮断（最大）	500nA	電流 - コレクタ（Ic）（Max）	100mA
ベース部品番号	NSBA1*

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