NSR10F30QNXT5G

ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	NSR10F30QNXT5G
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	DIODE SCHOTTKY 30V 1A 2DSN
仕様書:	NSR10F30QNXT5G.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	869081 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 869081 pcs

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部品型番	NSR10F30QNXT5G	メーカー	ON Semiconductor
説明	DIODE SCHOTTKY 30V 1A 2DSN	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	869081 pcs	データシート	NSR10F30QNXT5G.pdf
電圧 - ピーク逆（最大）	Schottky	電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@	1A (DC)
電圧 - ブレークダウン	2-DSN (1.4x0.6)	シリーズ	-
RoHSステータス	Tape & Reel (TR)	逆回復時間（trrの）	Fast Recovery = 200mA (Io)
もし、F @抵抗	-	偏光	2-XDFN
装着タイプ	Surface Mount	水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
製造元の部品番号	NSR10F30QNXT5G	拡張された説明	Diode Schottky 30V 1A (DC) Surface Mount 2-DSN (1.4x0.6)
ダイオード構成	100µA @ 30V	説明	DIODE SCHOTTKY 30V 1A 2DSN
電流 - 漏れ@ Vrとリバース	470mV @ 1A	電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり）	30V
Vrと、F @キャパシタンス	-55°C ~ 125°C

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（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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