NSVBSS63LT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	NSVBSS63LT1G
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	TRANS PNP 100V 0.1A SOT-23
仕様書:	NSVBSS63LT1G.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	205945 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 205945 pcs

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部品型番	NSVBSS63LT1G	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	TRANS PNP 100V 0.1A SOT-23	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	205945 pcs	データシート	NSVBSS63LT1G.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	100V	IB、IC @ Vce飽和（最大）	250mV @ 2.5mA, 25mA
トランジスタ型式	PNP	サプライヤデバイスパッケージ	SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ	-	電力 - 最大	225mW
パッケージング	Cut Tape (CT)	パッケージ/ケース	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前	NSVBSS63LT1GOSCT	運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ	Surface Mount	水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	周波数 - トランジション	95MHz
詳細な説明	Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 100mA 95MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)	Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）	30 @ 25mA, 1V
電流 - コレクタ遮断（最大）	100nA (ICBO)	電流 - コレクタ（Ic）（Max）	100mA

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（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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