NTJD1155LT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	NTJD1155LT1G
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
仕様書:	NTJD1155LT1G.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	636875 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 636875 pcs

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部品型番	NTJD1155LT1G	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	636875 pcs	データシート	NTJD1155LT1G.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	1V @ 250µA	サプライヤデバイスパッケージ	SC-88/SC70-6/SOT-363
シリーズ	-	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
電力 - 最大	400mW	パッケージング	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	他の名前	NTJD1155LT1GOSTR
運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)	装着タイプ	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	-	ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	-
FETタイプ	N and P-Channel	FET特長	Standard
ソース電圧（VDSS）にドレイン	8V	詳細な説明	Mosfet Array N and P-Channel 8V 1.3A 400mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	1.3A	ベース部品番号	NTJD1155

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（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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