NTLJD2105LTBG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	NTLJD2105LTBG
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
仕様書:	NTLJD2105LTBG.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	5152 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5152 pcs

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部品型番	NTLJD2105LTBG	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	5152 pcs	データシート	NTLJD2105LTBG.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	1V @ 250µA	サプライヤデバイスパッケージ	6-WDFN (2x2)
シリーズ	-	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	50 mOhm @ 4A, 4.5V
電力 - 最大	520mW	パッケージング	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース	6-WDFN Exposed Pad	運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ	Surface Mount	水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	-
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	-	FETタイプ	N and P-Channel
FET特長	Standard	ソース電圧（VDSS）にドレイン	8V
詳細な説明	Mosfet Array N and P-Channel 8V 2.5A 520mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)	電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	2.5A

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

★配達時間はDHL / UPS / FEDERAL EXPRESS / TNTで世界中の国のほとんどに2-4日が必要になります。

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