NTLLD4951NFTWG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	NTLLD4951NFTWG
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
仕様書:	NTLLD4951NFTWG.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	82052 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 82052 pcs

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部品型番	NTLLD4951NFTWG	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	82052 pcs	データシート	NTLLD4951NFTWG.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	2.2V @ 250µA	サプライヤデバイスパッケージ	8-WDFN (3x3)
シリーズ	-	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	17.4 mOhm @ 9A, 10V
電力 - 最大	800mW, 810mW	パッケージング	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース	8-PowerWDFN	運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ	Surface Mount	水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	605pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	12nC @ 10V	FETタイプ	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET特長	Standard	ソース電圧（VDSS）にドレイン	30V
詳細な説明	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 5.5A, 6.3A 800mW, 810mW Surface Mount 8-WDFN (3x3)	電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	5.5A, 6.3A

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（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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