NTMFD4C88NT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	NTMFD4C88NT1G
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
仕様書:	NTMFD4C88NT1G.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	47623 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 47623 pcs

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部品型番	NTMFD4C88NT1G	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	47623 pcs	データシート	NTMFD4C88NT1G.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	2.2V @ 250µA	サプライヤデバイスパッケージ	8-DFN (5x6)
シリーズ	-	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	5.4 mOhm @ 10A, 10V
電力 - 最大	1.1W	パッケージング	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN	運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ	Surface Mount	水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1252pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	22.2nC @ 10V	FETタイプ	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET特長	Standard	ソース電圧（VDSS）にドレイン	30V
詳細な説明	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 11.7A, 14.2A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)	電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	11.7A, 14.2A

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（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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