| 部品型番 | NVMD4N03R2G | メーカー | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 245331 pcs | データシート | NVMD4N03R2G.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA | サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
| シリーズ | - | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 60 mOhm @ 4A, 10V |
| 電力 - 最大 | 2W | パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 400pF @ 20V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 16nC @ 10V | FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特長 | Logic Level Gate | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
| 詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 2W Surface Mount 8-SOIC | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4A |
| フェデックス | www.FedEx.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
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