NVMFS5C638NLWFT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	NVMFS5C638NLWFT1G
メーカー/ブランド:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明	60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN
仕様書:	NVMFS5C638NLWFT1G.pdf
在庫状況	132514 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 132514 pcs

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部品型番	NVMFS5C638NLWFT1G	メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN	フリーステータス/ RoHS状態
在庫あり	132514 pcs	データシート	NVMFS5C638NLWFT1G.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	2V @ 250µA	Vgs（最大）	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)	サプライヤデバイスパッケージ	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
シリーズ	Automotive, AEC-Q101	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	3 mOhm @ 50A, 10V
電力消費（最大）	4W (Ta), 100W (Tc)	パッケージ/ケース	8-PowerTDFN, 5 Leads
運転温度	-55°C ~ 175°C (TJ)	装着タイプ	Surface Mount
鉛フリーステータス	Lead free	入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2880pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	40.7nC @ 10V	FETタイプ	N-Channel
FET特長	-	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン	60V	詳細な説明	N-Channel 60V 26A (Ta), 133A (Tc) 4W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	26A (Ta), 133A (Tc)

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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