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SSU1N60BTU-WS

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
SSU1N60BTU-WS Image
画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番: SSU1N60BTU-WS
メーカー/ブランド: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
製品の説明 MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK
仕様書: SSU1N60BTU-WS.pdf
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況 402851 pcs stock
配達場所 香港
輸送モード DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 402851 pcs
参考価格(USD)
5040 pcs
$0.094
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SSU1N60BTU-WSの仕様

部品型番 SSU1N60BTU-WS メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 402851 pcs データシート SSU1N60BTU-WS.pdf
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ I-PAK
シリーズ - 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 12 Ohm @ 450mA, 10V
電力消費(最大) 2.5W (Ta), 28W (Tc) パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 他の名前 SSU1N60BTU_WS
SSU1N60BTU_WS-ND
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ) 装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 215pF @ 25V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 7.7nC @ 10V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V ソース電圧(VDSS)にドレイン 600V
詳細な説明 N-Channel 600V 900mA (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole I-PAK 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 900mA (Tc)

郵送方法

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
(集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ)

フェデックス www.FedEx.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
DHL www.DHL.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
UPS www.UPS.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
TNT www.TNT.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。

★配達時間はDHL / UPS / FEDERAL EXPRESS / TNTで世界中の国のほとんどに2-4日が必要になります。

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  2. あなたがそれらを受けた後に我々の製品に関する品質問題を見つけるならば、あなたはそれらをテストして、それが証明されることができるなら無条件の払い戻しを申し込むことができます。
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