部品型番 | ALD212900PAL | メーカー | Advanced Linear Devices, Inc. |
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説明 | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 27883 pcs | データシート | ALD212900PAL.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 20mV @ 20µA | サプライヤデバイスパッケージ | 8-PDIP |
シリーズ | EPAD®, Zero Threshold™ | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 14 Ohm |
電力 - 最大 | 500mW | パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | 他の名前 | 1014-1212 |
運転温度 | 0°C ~ 70°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 30pF @ 5V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | - |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair | FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 10.6V | 詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 8-PDIP |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 80mA |
フェデックス | www.FedEx.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
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